ME85P03-G Todos los transistores

 

ME85P03-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME85P03-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 432 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-252

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ME85P03-G datasheet

 ..1. Size:1214K  matsuki electric
 me85p03 me85p03-g.pdf pdf_icon

ME85P03-G

ME85P03/ ME85P03-G P- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 8m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 11m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R

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History: KIA10N80H-3P | ET8205A | SCG3019

 

 

 

 

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