ME85P03-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME85P03-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 432 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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ME85P03-G Datasheet (PDF)

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me85p03 me85p03-g.pdf

ME85P03/ ME85P03-G P- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)8m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)11m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R

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