Справочник MOSFET. ME85P03-G

 

ME85P03-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME85P03-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 432 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ME85P03-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME85P03-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  matsuki electric
 me85p03 me85p03-g.pdf pdf_icon

ME85P03-G

ME85P03/ ME85P03-G P- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)8m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)11m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R

Другие MOSFET... ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , IRF1407 , ME90N03 , ME90N03-G , ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G .

History: AP75T10GP

 

 
Back to Top

 


 
.