ME85P03-G - описание и поиск аналогов

 

ME85P03-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME85P03-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 432 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для ME85P03-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME85P03-G даташит

 ..1. Size:1214K  matsuki electric
 me85p03 me85p03-g.pdf pdf_icon

ME85P03-G

ME85P03/ ME85P03-G P- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME85P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 8m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 11m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R

Другие MOSFET... ME80N75F-G , ME80N75T , ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , IRFP450 , ME90N03 , ME90N03-G , ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G .

History: APT1001RBLC | ASDM30P09ZB | ASDM3080KQ | TK65A10N1 | AP4410M | ME85P03 | SUD50P04-15

 

 

 

 

↑ Back to Top
.