ME90N03-G Todos los transistores

 

ME90N03-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME90N03-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: TO-252

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ME90N03-G datasheet

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me90n03 me90n03-g.pdf pdf_icon

ME90N03-G

ME90N03/ME90N03-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.8m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 9m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protected minimize on-state resis

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History: RU4N65P | HX3400 | SVF10N65T | AOWF12N50 | 2SK2760-01

 

 

 

 

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