Справочник MOSFET. ME90N03-G

 

ME90N03-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME90N03-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ME90N03-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME90N03-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me90n03 me90n03-g.pdf pdf_icon

ME90N03-G

ME90N03/ME90N03-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.8m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protected minimize on-state resis

Другие MOSFET... ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , ME85P03-G , ME90N03 , P60NF06 , ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G .

History: STB200NF04-1 | 2SK1297 | VS4618AP | FDS3682 | RU20P5E | STB200NF04L-1 | HX4N60

 

 
Back to Top

 


 
.