Справочник MOSFET. ME90N03-G

 

ME90N03-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME90N03-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 74 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 350 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для ME90N03-G

 

 

ME90N03-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me90n03 me90n03-g.pdf

ME90N03-G ME90N03-G

ME90N03/ME90N03-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.8m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protected minimize on-state resis

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top