ME90N03-G - описание и поиск аналогов

 

ME90N03-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME90N03-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для ME90N03-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME90N03-G даташит

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me90n03 me90n03-g.pdf pdf_icon

ME90N03-G

ME90N03/ME90N03-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.8m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 9m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protected minimize on-state resis

Другие MOSFET... ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , ME85P03-G , ME90N03 , AO4407 , ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G .

History: ME8107-G | DMP6185SE | 2SK1562

 

 

 

 

↑ Back to Top
.