ME90N03-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ME90N03-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для ME90N03-G
ME90N03-G Datasheet (PDF)
me90n03 me90n03-g.pdf

ME90N03/ME90N03-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME90N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.8m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protected minimize on-state resis
Другие MOSFET... ME80N75T-G , ME8107 , ME8107-G , ME8205E , ME8205E-G , ME85P03 , ME85P03-G , ME90N03 , P60NF06 , ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G .
History: IXTH62N65X2 | KMB035N40DC | SWD7N60K2F | SM3303PSQG | SVF4N70F | AFP9565S | VS1606GS
History: IXTH62N65X2 | KMB035N40DC | SWD7N60K2F | SM3303PSQG | SVF4N70F | AFP9565S | VS1606GS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884