MEE15N10-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEE15N10-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MEE15N10-G MOSFET
MEE15N10-G Datasheet (PDF)
mee15n10-g.pdf

MEE15N10-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10VThe MEE15N10-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC currentGate(ETG) technology. This advanced technology is esp
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History: MMP2301 | 2SK1233



Liste
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