Справочник MOSFET. MEE15N10-G

 

MEE15N10-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE15N10-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MEE15N10-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE15N10-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2343K  matsuki electric
 mee15n10-g.pdf pdf_icon

MEE15N10-G

MEE15N10-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10VThe MEE15N10-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC currentGate(ETG) technology. This advanced technology is esp

Другие MOSFET... ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G , IRFZ46N , MEE3710-G , MEE4294-G , MESS84 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.