MEE15N10-G - описание и поиск аналогов

 

MEE15N10-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEE15N10-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MEE15N10-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE15N10-G даташит

 ..1. Size:2343K  matsuki electric
 mee15n10-g.pdf pdf_icon

MEE15N10-G

MEE15N10-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 100m @VGS=10V The MEE15N10-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC current Gate(ETG) technology. This advanced technology is esp

Другие MOSFET... ME9435 , ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G , SI2302 , MEE3710-G , MEE4294-G , MESS84 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.