Справочник MOSFET. MEE15N10-G

 

MEE15N10-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE15N10-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE15N10-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2343K  matsuki electric
 mee15n10-g.pdf pdf_icon

MEE15N10-G

MEE15N10-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10VThe MEE15N10-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC currentGate(ETG) technology. This advanced technology is esp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CRSS052N08N | IPA60R160P6 | FTP11N08 | 2N65L-TF3T-T | ME6980ED-G | DK64N90 | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.