KCF3650A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KCF3650A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 66 nC
Tiempo de subida (tr): 148 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KCF3650A
KCF3650A Datasheet (PDF)
kcf3650a kcm3650a.pdf
60A500VKCX3650AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis high voltage MOSFETuses an advanced termination schemeto provide enhanced voltageblocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET isdesigned to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy efficient
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: JCS18N50FE
