KCF3650A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KCF3650A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 148 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4400 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
KCF3650A Datasheet (PDF)
kcf3650a kcm3650a.pdf

60A500VKCX3650AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis high voltage MOSFETuses an advanced termination schemeto provide enhanced voltageblocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET isdesigned to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The newenergy efficient
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: VBE16R02 | ZXMN10A08G | UPA1720G | RFP12N18 | IRFD014PBF | PMV65XPEA | PDS4906
History: VBE16R02 | ZXMN10A08G | UPA1720G | RFP12N18 | IRFD014PBF | PMV65XPEA | PDS4906



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor