KIA10N80H-3P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA10N80H-3P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 305 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 63 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA10N80H-3P
KIA10N80H-3P Datasheet (PDF)
kia10n80h.pdf
10A800V10N80HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These device
kia10n65h.pdf
10A650V10N65HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA10N65HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designedfor high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode powersupplies, active power factor correction,electronic lampballasts based on half bridge to pology.2.
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