KIA10N80H-3P Todos los transistores

 

KIA10N80H-3P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA10N80H-3P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 305 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO3P

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KIA10N80H-3P datasheet

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KIA10N80H-3P

10A 800V 10N80H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description This Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. This advanced has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These device

 8.1. Size:289K  kia
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KIA10N80H-3P

10A 650V 10N65H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA10N65HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction,electronic lampballasts based on half bridge to pology. 2.

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History: ET8205A | SCG3019

 

 

 

 

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