Справочник MOSFET. KIA10N80H-3P

 

KIA10N80H-3P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA10N80H-3P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA10N80H-3P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:259K  kia
 kia10n80h.pdf pdf_icon

KIA10N80H-3P

10A800V10N80HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These device

 8.1. Size:289K  kia
 kia10n65h.pdf pdf_icon

KIA10N80H-3P

10A650V10N65HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA10N65HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designedfor high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode powersupplies, active power factor correction,electronic lampballasts based on half bridge to pology.2.

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SSM6P26TU | IRFZ44RP | IRLR8726PBF | CMLM0708A | 7N65G-TQ2-T | SQM110N05-06L | STT03N10

 

 
Back to Top

 


 
.