KIA10N80H-3P - описание и поиск аналогов

 

KIA10N80H-3P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KIA10N80H-3P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 305 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для KIA10N80H-3P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA10N80H-3P даташит

 5.1. Size:259K  kia
 kia10n80h.pdf pdf_icon

KIA10N80H-3P

10A 800V 10N80H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description This Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. This advanced has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These device

 8.1. Size:289K  kia
 kia10n65h.pdf pdf_icon

KIA10N80H-3P

10A 650V 10N65H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA10N65HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction,electronic lampballasts based on half bridge to pology. 2.

Другие MOSFET... KCF3650A , KCM3650A , KCF9860A , KCM9860A , KCY3104S , KCY3303S , KIA10N65H , KIA10N80H-220F , K2611 , KIA12N60H-220 , KIA12N60H-220F , KIA12N65H , KIA13N50H-220 , KIA13N50H-220F , KIA13N50H-263 , KIA18N50H-220F , KIA18N50H-247 .

History: AP10TN5R5LMT | DG4N65-TO252 | BSZ031NE2LS5 | TK65A10N1 | AP4410M | ME85P03 | ME9435A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.