KIA20N50H-220F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA20N50H-220F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO220F

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KIA20N50H-220F datasheet

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KIA20N50H-220F

20A 500V 20N50H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction. 2. Features R =0.21 @V =10V DS(on) GS Lowgate ch

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