KIA20N50H-220F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KIA20N50H-220F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 400 ns
Выходная емкость (Cd): 400 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для KIA20N50H-220F
KIA20N50H-220F Datasheet (PDF)
kia20n50h.pdf
20A500V20N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.21 @V =10VDS(on) GS Lowgate ch
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .