KIA20N50H-3P Todos los transistores

 

KIA20N50H-3P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA20N50H-3P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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KIA20N50H-3P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:224K  kia
 kia20n50h.pdf pdf_icon

KIA20N50H-3P

20A500V20N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.21 @V =10VDS(on) GS Lowgate ch

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History: IRF8714G | SSD20N10-250D | SWN6N80D

 

 
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