KIA20N50H-3P Todos los transistores

 

KIA20N50H-3P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA20N50H-3P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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KIA20N50H-3P datasheet

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KIA20N50H-3P

20A 500V 20N50H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction. 2. Features R =0.21 @V =10V DS(on) GS Lowgate ch

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History: AGM13T15D | TK17V65W

 

 
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