KIA20N50H-3P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KIA20N50H-3P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для KIA20N50H-3P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA20N50H-3P даташит

 5.1. Size:224K  kia
 kia20n50h.pdf pdf_icon

KIA20N50H-3P

20A 500V 20N50H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction. 2. Features R =0.21 @V =10V DS(on) GS Lowgate ch

Другие IGBT... KIA12N65H, KIA13N50H-220, KIA13N50H-220F, KIA13N50H-263, KIA18N50H-220F, KIA18N50H-247, KIA20N50H-220F, KIA20N50H-247, IRF3205, KIA2300, KIA2301, KIA2302, KIA2305, KIA2306, KIA2404A-220, KIA2404A-247, KIA24N50H