Справочник MOSFET. KIA20N50H-3P

 

KIA20N50H-3P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA20N50H-3P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для KIA20N50H-3P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA20N50H-3P Datasheet (PDF)

 5.1. Size:224K  kia
 kia20n50h.pdf pdf_icon

KIA20N50H-3P

20A500V20N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA20N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.21 @V =10VDS(on) GS Lowgate ch

Другие MOSFET... KIA12N65H , KIA13N50H-220 , KIA13N50H-220F , KIA13N50H-263 , KIA18N50H-220F , KIA18N50H-247 , KIA20N50H-220F , KIA20N50H-247 , IRF3205 , KIA2300 , KIA2301 , KIA2302 , KIA2305 , KIA2306 , KIA2404A-220 , KIA2404A-247 , KIA24N50H .

History: ASDM65N18S | PTW90N20 | SFG019N100C3

 

 
Back to Top

 


 
.