KIA24N50H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KIA24N50H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA24N50H

KIA24N50H Datasheet (PDF)

..1. Size:332K kia
kia24n50h.pdf

24A500V24N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIAadvanced planar stripe DMOS technology. This advancedtechnology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. The

9.1. Size:380K kia
kia2404a.pdf

190A40V2404AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications DC-DCconverters and Off-line UPS Switching applications2. Features R =2.2m @V =10 VDS(on) (TYP) GSSuper high dense cell design Ultra lowon-resistance 100%avalanchetest Lead free and green devices available (RoHScompliant)3. PinconfigurationPin Function1 Ga

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: