KIA24N50H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA24N50H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 290 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 250 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 520 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA24N50H
KIA24N50H Datasheet (PDF)
kia24n50h.pdf
24A500V24N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIAadvanced planar stripe DMOS technology. This advancedtechnology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. The
kia2404a.pdf
190A40V2404AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications DC-DCconverters and Off-line UPS Switching applications2. Features R =2.2m @V =10 VDS(on) (TYP) GSSuper high dense cell design Ultra lowon-resistance 100%avalanchetest Lead free and green devices available (RoHScompliant)3. PinconfigurationPin Function1 Ga
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: F10W90HVX2
