KIA24N50H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KIA24N50H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 290 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Выходная емкость (Cd): 520 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO3P
KIA24N50H Datasheet (PDF)
kia24n50h.pdf
24A500V24N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIAadvanced planar stripe DMOS technology. This advancedtechnology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. The
kia2404a.pdf
190A40V2404AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications DC-DCconverters and Off-line UPS Switching applications2. Features R =2.2m @V =10 VDS(on) (TYP) GSSuper high dense cell design Ultra lowon-resistance 100%avalanchetest Lead free and green devices available (RoHScompliant)3. PinconfigurationPin Function1 Ga
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
