FTX15N35G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTX15N35G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: SOT89

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FTX15N35G datasheet

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FTX15N35G

FTX15N35G 350V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features Proprietary Advanced Planar Technology BVDSS RDS(ON) (Max.) ID Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed 350V 15 200mA RoHS Compliant Halogen-free available SOT-89 D Applications Drain High Efficiency SMPS G Adaptor/Charger Gate Active PFC Drai

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