FTX15N35G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTX15N35G

Маркировка: N35

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для FTX15N35G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTX15N35G даташит

 ..1. Size:545K  ark-micro
 ftx15n35g.pdf pdf_icon

FTX15N35G

FTX15N35G 350V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features Proprietary Advanced Planar Technology BVDSS RDS(ON) (Max.) ID Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed 350V 15 200mA RoHS Compliant Halogen-free available SOT-89 D Applications Drain High Efficiency SMPS G Adaptor/Charger Gate Active PFC Drai

Другие IGBT... KIA24N50H, KIA2803A-220, KIA2803A-263, KIA2808A-263, KIA2808A-220, KIA2808A-247, KIA2808A-3P, KIA2906A-247, IRFB4227, KIA2910A-220, KIA2910A-263, KIA2910A-3P, KIA2910N-220, KIA2910N-263, KIA2910N-3P, KIA2N60H-251, KIA2N60H-252