KIA2N60H-251 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA2N60H-251

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO251

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KIA2N60H-251 datasheet

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KIA2N60H-251

2.0A, 600V N-CHANNELMOSFET 2N60H KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters, solenoid, motor drivers, relay drivers. 2. Features R =4.1 @V =10V. DS(ON) GS Lowgate cha

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