KIA2N60H-251 Todos los transistores

 

KIA2N60H-251 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA2N60H-251
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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KIA2N60H-251 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:330K  kia
 kia2n60h.pdf pdf_icon

KIA2N60H-251

2.0A, 600VN-CHANNELMOSFET2N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =4.1@V =10V.DS(ON) GS Lowgate cha

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History: FHF6N90A | SJMN600R70I | TMD830 | STW37N60DM2AG | STW48N60DM2 | BL2N50-D | IRLU120PBF

 

 
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