KIA2N60H-251 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KIA2N60H-251
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для KIA2N60H-251
KIA2N60H-251 Datasheet (PDF)
kia2n60h.pdf

2.0A, 600VN-CHANNELMOSFET2N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =4.1@V =10V.DS(ON) GS Lowgate cha
Другие MOSFET... KIA2906A-247 , KIA2906A-220 , KIA2910A-220 , KIA2910A-263 , KIA2910A-3P , KIA2910N-220 , KIA2910N-263 , KIA2910N-3P , 2SK3878 , KIA2N60H-252 , KIA2N60H-220 , KIA2N60H-220F , KIA30N06B , KIA3205S , KIA3308A-252 , KIA3308A-263 , KIA3308A-247 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor