KIA30N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA30N06B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12.56 nC
Tiempo de subida (tr): 14.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72.5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
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KIA30N06B Datasheet (PDF)
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25A60V30N06BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA30N06B is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high celldensity,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converterapplications.The KIA30N06Bmeet the RoHSand Green Product requirenment,100%EAS guaranteed withfull
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