KIA30N06B Todos los transistores

 

KIA30N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA30N06B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 TO252
 

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KIA30N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  kia
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KIA30N06B

25A60V30N06BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA30N06B is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high celldensity,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converterapplications.The KIA30N06Bmeet the RoHSand Green Product requirenment,100%EAS guaranteed withfull

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History: SNN2515D | IRF7314

 

 
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