KIA30N06B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA30N06B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 72.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO251 TO252
Аналог (замена) для KIA30N06B
KIA30N06B Datasheet (PDF)
kia30n06b.pdf

25A60V30N06BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA30N06B is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high celldensity,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converterapplications.The KIA30N06Bmeet the RoHSand Green Product requirenment,100%EAS guaranteed withfull
Другие MOSFET... KIA2910A-3P , KIA2910N-220 , KIA2910N-263 , KIA2910N-3P , KIA2N60H-251 , KIA2N60H-252 , KIA2N60H-220 , KIA2N60H-220F , K3569 , KIA3205S , KIA3308A-252 , KIA3308A-263 , KIA3308A-247 , KIA3400 , KIA3401 , KIA3402 , KIA3407 .
History: SRT03N023H | RU55111R | NCEP15T10V
History: SRT03N023H | RU55111R | NCEP15T10V



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet