KIA3510A-252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA3510A-252
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 166 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 108 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 339 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA3510A-252
KIA3510A-252 Datasheet (PDF)
kia3510a.pdf
75A100V3510AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =9mtyp.@V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHSCompliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: SFG10R12DF