KIA3510A-252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: KIA3510A-252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 339 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам