KIA4750S-252 Todos los transistores

 

KIA4750S-252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA4750S-252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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KIA4750S-252 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:363K  kia
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KIA4750S-252

9A500VN-CHANNELMOSFET4750SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power2. Features RoHSCompliant R =0.7 @V =10 VDS(on) GSLowgate charge minimize switching loss Fast recovery body diode3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 6 Rev 1.0Mar. 20169A500VN-CHANNE

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KIA4750S-252

8A60V4706AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =10m(typ)@ V =10 VDS(on) GS Super low gate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KIA4706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge

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History: SM6A10NSU | TDM3412

 

 
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