Справочник MOSFET. KIA4750S-252

 

KIA4750S-252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA4750S-252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для KIA4750S-252

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA4750S-252 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:363K  kia
 kia4750s.pdf pdf_icon

KIA4750S-252

9A500VN-CHANNELMOSFET4750SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power2. Features RoHSCompliant R =0.7 @V =10 VDS(on) GSLowgate charge minimize switching loss Fast recovery body diode3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 6 Rev 1.0Mar. 20169A500VN-CHANNE

 9.1. Size:223K  kia
 kia4706a.pdf pdf_icon

KIA4750S-252

8A60V4706AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =10m(typ)@ V =10 VDS(on) GS Super low gate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KIA4706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge

Другие MOSFET... KIA3407 , KIA3414 , KIA3415 , KIA3510A-220 , KIA3510A-252 , KIA3510A-263 , KIA4603A , KIA4706A , RFP50N06 , KIA4750S-220 , KIA4N60H-251 , KIA4N60H-252 , KIA4N60H-220 , KIA4N60H-220F , KIA4N60H-262 , KIA4N65H-251 , KIA4N65H-252 .

History: CS4N60A3R | RFD14N05LSM | SI6466ADQ | STI33N65M2 | NTTFS4C25N | IPI600N25N3 | IRF7343

 

 
Back to Top

 


 
.