KIA4750S-252 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KIA4750S-252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для KIA4750S-252
KIA4750S-252 Datasheet (PDF)
kia4750s.pdf
9A500VN-CHANNELMOSFET4750SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power2. Features RoHSCompliant R =0.7 @V =10 VDS(on) GSLowgate charge minimize switching loss Fast recovery body diode3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 6 Rev 1.0Mar. 20169A500VN-CHANNE
kia4706a.pdf
8A60V4706AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =10m(typ)@ V =10 VDS(on) GS Super low gate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KIA4706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918