KIA5610A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KIA5610A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 20.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 30.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA5610A

KIA5610A Datasheet (PDF)

..1. Size:200K kia
kia5610a.pdf

5.4A100V5610AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KIA5610 is the highest performance trench N-ch MOSFETS with extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KIA5610 meet the RoHSand green product requirement2. Features R =310m@V =10V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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