KIA5610A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA5610A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: SOT89

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KIA5610A datasheet

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KIA5610A

5.4A 100V 5610A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features The KIA5610 is the highest performance trench N-ch MOSFETS with extreme high cell density, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KIA5610 meet the RoHSand green product requirement 2. Features R =310m @V =10V

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