KIA5610A Todos los transistores

 

KIA5610A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA5610A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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KIA5610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  kia
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KIA5610A

5.4A100V5610AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KIA5610 is the highest performance trench N-ch MOSFETS with extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KIA5610 meet the RoHSand green product requirement2. Features R =310m@V =10V

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History: WSD20L120DN56 | IRFR4105PBF | NCE3420X | IRLZ14S | IRFB3077G | ISCNH310P | SFP041N100C3

 

 
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