KIA5610A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KIA5610A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 30.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для KIA5610A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA5610A даташит

 ..1. Size:200K  kia
 kia5610a.pdf pdf_icon

KIA5610A

5.4A 100V 5610A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features The KIA5610 is the highest performance trench N-ch MOSFETS with extreme high cell density, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KIA5610 meet the RoHSand green product requirement 2. Features R =310m @V =10V

Другие IGBT... KIA4N65H-252, KIA4N65H-220, KIA4N65H-220F, KIA50N03-251, KIA50N03-252, KIA50N03-220, KIA50N03BD, KIA50N06B-220, IRFP250, KIA5N60E, KIA6035A, KIA65R190, KIA65R300, KIA65R420, KIA65R700, KIA65R950, KIA6N70H-251