KIA5610A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KIA5610A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
Тип корпуса: SOT89
KIA5610A Datasheet (PDF)
kia5610a.pdf
5.4A100V5610AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KIA5610 is the highest performance trench N-ch MOSFETS with extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KIA5610 meet the RoHSand green product requirement2. Features R =310m@V =10V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918