Справочник MOSFET. KIA5610A

 

KIA5610A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA5610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для KIA5610A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA5610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  kia
 kia5610a.pdf pdf_icon

KIA5610A

5.4A100V5610AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KIA5610 is the highest performance trench N-ch MOSFETS with extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KIA5610 meet the RoHSand green product requirement2. Features R =310m@V =10V

Другие MOSFET... KIA4N65H-252 , KIA4N65H-220 , KIA4N65H-220F , KIA50N03-251 , KIA50N03-252 , KIA50N03-220 , KIA50N03BD , KIA50N06B-220 , STF13NM60N , KIA5N60E , KIA6035A , KIA65R190 , KIA65R300 , KIA65R420 , KIA65R700 , KIA65R950 , KIA6N70H-251 .

History: SWN6N80D | SSD20N10-250D | IRF8714G

 

 
Back to Top

 


 
.