KIA5N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA5N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220 TO252
Búsqueda de reemplazo de KIA5N60E MOSFET
KIA5N60E Datasheet (PDF)
kia5n60e.pdf

4.5A600VN-CHANNELMOSFET5N60EKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using KIAsproprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimizeon-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy p
Otros transistores... KIA4N65H-220 , KIA4N65H-220F , KIA50N03-251 , KIA50N03-252 , KIA50N03-220 , KIA50N03BD , KIA50N06B-220 , KIA5610A , P0903BDG , KIA6035A , KIA65R190 , KIA65R300 , KIA65R420 , KIA65R700 , KIA65R950 , KIA6N70H-251 , KIA6N70H-252 .
History: SD5000N | FQP58N08 | 12P10G-S08-R | PHD44N06LT | PJE8404 | 24NM60G-TF1-T | 6N60AF
History: SD5000N | FQP58N08 | 12P10G-S08-R | PHD44N06LT | PJE8404 | 24NM60G-TF1-T | 6N60AF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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