KIA5N60E Todos los transistores

 

KIA5N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA5N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO252
 

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KIA5N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  kia
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KIA5N60E

4.5A600VN-CHANNELMOSFET5N60EKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using KIAsproprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimizeon-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy p

Otros transistores... KIA4N65H-220 , KIA4N65H-220F , KIA50N03-251 , KIA50N03-252 , KIA50N03-220 , KIA50N03BD , KIA50N06B-220 , KIA5610A , P0903BDG , KIA6035A , KIA65R190 , KIA65R300 , KIA65R420 , KIA65R700 , KIA65R950 , KIA6N70H-251 , KIA6N70H-252 .

History: FDB2552F085

 

 
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