KIA5N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KIA5N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO252

Аналог (замена) для KIA5N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA5N60E даташит

 ..1. Size:382K  kia
 kia5n60e.pdf pdf_icon

KIA5N60E

4.5A600V N-CHANNELMOSFET 5N60E KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using KIA s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy p

Другие IGBT... KIA4N65H-220, KIA4N65H-220F, KIA50N03-251, KIA50N03-252, KIA50N03-220, KIA50N03BD, KIA50N06B-220, KIA5610A, IRF1407, KIA6035A, KIA65R190, KIA65R300, KIA65R420, KIA65R700, KIA65R950, KIA6N70H-251, KIA6N70H-252