KIA6N70H-252 Todos los transistores

 

KIA6N70H-252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA6N70H-252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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KIA6N70H-252 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:203K  kia
kia6n70h.pdf

KIA6N70H-252
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5.8A,700VN-CHANNELMOSFET6N70HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis Power MOSFETis produced using Maple semis advanced planar stripe DMOStechnology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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