KIA6N70H-252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA6N70H-252
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 95 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA6N70H-252
KIA6N70H-252 Datasheet (PDF)
6.1. Size:203K kia
kia6n70h.pdf
kia6n70h.pdf
5.8A,700VN-CHANNELMOSFET6N70HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis Power MOSFETis produced using Maple semis advanced planar stripe DMOStechnology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
