KIA6N70H-252 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KIA6N70H-252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для KIA6N70H-252
KIA6N70H-252 Datasheet (PDF)
6.1. Size:203K kia
kia6n70h.pdf
kia6n70h.pdf
5.8A,700VN-CHANNELMOSFET6N70HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis Power MOSFETis produced using Maple semis advanced planar stripe DMOStechnology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPD65R660CFDA
