KIA840S-252 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA840S-252

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO252

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KIA840S-252 datasheet

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KIA840S-252

8A 500V 840S N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =0.7 (typ) @V =10V DS(ON) GS RoHS compliant Low on resistance Low gate charge Peak current vs pulse width curve 2. Applications Adaptor TVmain power SMPSpower supply LCDpanel power 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1 of 6 Rev 1.2 JAN2016

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