KIA840S-252 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KIA840S-252

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KIA840S-252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA840S-252 даташит

 7.1. Size:210K  kia
 kia840s.pdf pdf_icon

KIA840S-252

8A 500V 840S N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =0.7 (typ) @V =10V DS(ON) GS RoHS compliant Low on resistance Low gate charge Peak current vs pulse width curve 2. Applications Adaptor TVmain power SMPSpower supply LCDpanel power 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1 of 6 Rev 1.2 JAN2016

Другие IGBT... KIA75NF75, KIA7N60H-220, KIA7N60H-220F, KIA7N60H-262, KIA7N60H-263, KIA7N60U, KIA7N80H-220, KIA7N80H-220F, IRFZ48N, KIA840S-263, KIA840S-220, KIA8N60H-220, KIA8N60H-220F, KNB1906A, KNB2404A, KNB2708A, KNB2710A