Справочник MOSFET. KIA840S-252

 

KIA840S-252 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KIA840S-252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для KIA840S-252

 

 

KIA840S-252 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:210K  kia
 kia840s.pdf

KIA840S-252 KIA840S-252

8A500V840SN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =0.7 (typ) @V =10VDS(ON) GS RoHS compliant Low on resistance Low gate charge Peak current vs pulse width curve2. Applications Adaptor TVmain power SMPSpower supply LCDpanel power3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 6 Rev 1.2 JAN2016

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top