KNB2710A Todos los transistores

 

KNB2710A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNB2710A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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KNB2710A Datasheet (PDF)

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KNB2710A

160A100VN-CHANNELMOSFETKNX2710AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.5 m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2

 9.1. Size:462K  kia
 knp2708a knb2708a.pdf pdf_icon

KNB2710A

160A80VKNX2708AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.0m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D

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History: SML9030-T254 | IRFR9120N | JFPC18N60C | SRT06N027HT | NCEP1212AS | NCE3N170PF | R8008ANX

 

 
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