KNB2710A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNB2710A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO263

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KNB2710A datasheet

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KNB2710A

160A 100V N-CHANNELMOSFET KNX2710A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.5 m @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2

 9.1. Size:462K  kia
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KNB2710A

160A 80V KNX2708A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.0m @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 D

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