KNB2710A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KNB2710A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для KNB2710A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNB2710A даташит

 ..1. Size:581K  kia
 knb2710a.pdf pdf_icon

KNB2710A

160A 100V N-CHANNELMOSFET KNX2710A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.5 m @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2

 9.1. Size:462K  kia
 knp2708a knb2708a.pdf pdf_icon

KNB2710A

160A 80V KNX2708A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =4.0m @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 D

Другие IGBT... KIA840S-252, KIA840S-263, KIA840S-220, KIA8N60H-220, KIA8N60H-220F, KNB1906A, KNB2404A, KNB2708A, EMB04N03H, KNB2803A, KNB2804A, KNB2804C, KNB2906A, KNB2910A, KNB2915A, KNB3204A, KNB3206A