KNB3308B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNB3308B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO263

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KNB3308B datasheet

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KNB3308B

80A 80V N-CHANNELMOSFET KNX3308B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =7.2m (typ)@V =10V DS(ON) GS Lead free and green device available LowRds-onto minimize conductive loss High avalanchecurrent 2. Applications Power supply DC-DCconverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 1 of 6 Rev1.0Aug. 2018 80A 80V

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KNB3308B

80A60V N-CHANNELMOSFET 3306B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent 2. Application Power Supply DC-DCConverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 1 of 6 Rev1.0Sep.2017 80A60V N-CHANNELMOSFET 3

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