KNB3308B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KNB3308B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNB3308B

KNB3308B Datasheet (PDF)

..1. Size:280K kia
knb3308b.pdf

80A80VN-CHANNELMOSFETKNX3308BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =7.2m(typ)@V =10VDS(ON) GS Lead free and green device available LowRds-onto minimize conductive loss High avalanchecurrent2. Applications Power supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Aug. 201880A80V

8.1. Size:283K kia
knd3306b knb3306b.pdf

80A60VN-CHANNELMOSFET3306BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent2. Application Power Supply DC-DCConverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Sep.201780A60VN-CHANNELMOSFET3

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Liste

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