KNB3308B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KNB3308B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для KNB3308B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNB3308B даташит

 ..1. Size:280K  kia
 knb3308b.pdf pdf_icon

KNB3308B

80A 80V N-CHANNELMOSFET KNX3308B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =7.2m (typ)@V =10V DS(ON) GS Lead free and green device available LowRds-onto minimize conductive loss High avalanchecurrent 2. Applications Power supply DC-DCconverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 1 of 6 Rev1.0Aug. 2018 80A 80V

 8.1. Size:283K  kia
 knd3306b knb3306b.pdf pdf_icon

KNB3308B

80A60V N-CHANNELMOSFET 3306B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent 2. Application Power Supply DC-DCConverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 1 of 6 Rev1.0Sep.2017 80A60V N-CHANNELMOSFET 3

Другие IGBT... KNB2804C, KNB2906A, KNB2910A, KNB2915A, KNB3204A, KNB3206A, KNB3208A, KNB3306B, IRF740, KNB3508A, KND2803A, KND2804A, KND2906A, KND3203B, KND3204A, KND3206A, KND3208A