KND3306B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KND3306B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 84.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 104 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KND3306B
KND3306B Datasheet (PDF)
knd3306b knb3306b.pdf
80A60VN-CHANNELMOSFET3306BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent2. Application Power Supply DC-DCConverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Sep.201780A60VN-CHANNELMOSFET3
knd3302a.pdf
85A20VKNX3302AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KNX3302A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or inother Switching applications.2. Features R =3.8m(typ.) @V =4.5VDS
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: KIA50N06B-220
