Справочник MOSFET. KND3306B

 

KND3306B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KND3306B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для KND3306B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND3306B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  kia
 knd3306b knb3306b.pdf pdf_icon

KND3306B

80A60VN-CHANNELMOSFET3306BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent2. Application Power Supply DC-DCConverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Sep.201780A60VN-CHANNELMOSFET3

 8.1. Size:236K  kia
 knd3302a.pdf pdf_icon

KND3306B

85A20VKNX3302AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KNX3302A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or inother Switching applications.2. Features R =3.8m(typ.) @V =4.5VDS

Другие MOSFET... KND2803A , KND2804A , KND2906A , KND3203B , KND3204A , KND3206A , KND3208A , KND3302A , IRFP260N , KND3403A , KND3404B , KND3404C , KND3406C , KND3502A , KND3508A , KND3706A , KND4360A .

 

 
Back to Top

 


 
.