KND3306B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND3306B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND3306B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND3306B даташит

 ..1. Size:283K  kia
 knd3306b knb3306b.pdf pdf_icon

KND3306B

80A60V N-CHANNELMOSFET 3306B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent 2. Application Power Supply DC-DCConverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 1 of 6 Rev1.0Sep.2017 80A60V N-CHANNELMOSFET 3

 8.1. Size:236K  kia
 knd3302a.pdf pdf_icon

KND3306B

85A 20V KNX3302A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KNX3302A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching applications. 2. Features R =3.8m (typ.) @V =4.5V DS

Другие IGBT... KND2803A, KND2804A, KND2906A, KND3203B, KND3204A, KND3206A, KND3208A, KND3302A, IRLZ44N, KND3403A, KND3404B, KND3404C, KND3406C, KND3502A, KND3508A, KND3706A, KND4360A