Справочник MOSFET. KND3306B

 

KND3306B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KND3306B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 84.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 104 nC
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 400 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для KND3306B

 

 

KND3306B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  kia
knd3306b knb3306b.pdf

KND3306B
KND3306B

80A60VN-CHANNELMOSFET3306BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent2. Application Power Supply DC-DCConverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Sep.201780A60VN-CHANNELMOSFET3

 8.1. Size:236K  kia
knd3302a.pdf

KND3306B
KND3306B

85A20VKNX3302AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KNX3302A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or inother Switching applications.2. Features R =3.8m(typ.) @V =4.5VDS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top