KND3508A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND3508A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO252

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KND3508A datasheet

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KND3508A

70A 80V 3508A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =9.5m typ. @V =10V DS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device available RoHSCompliant 2. Applications Switching application Power management for inverter systems 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1o

 8.1. Size:218K  kia
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KND3508A

70A 20V KNX3502A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KNX3502A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operationwithgatevoltages as lowas 2.5V. This deviceis suitablefor useas awidevariety of applications. 2. Features R =7m (typ.) @V =4.5V DS(on) DS High power and current hand

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