KND3508A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KND3508A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 55 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KND3508A
KND3508A Datasheet (PDF)
knb3508a knd3508a knp3508a.pdf
70A80V3508AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =9.5mtyp.@V =10VDS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHSCompliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1o
knd3502a.pdf
70A20VKNX3502AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KNX3502A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operationwithgatevoltages as lowas 2.5V. This deviceis suitablefor useas awidevariety of applications.2. Features R =7m(typ.) @V =4.5VDS(on) DS High power and current hand
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