KND3508A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND3508A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND3508A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND3508A даташит

 ..1. Size:218K  kia
 knb3508a knd3508a knp3508a.pdf pdf_icon

KND3508A

70A 80V 3508A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =9.5m typ. @V =10V DS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device available RoHSCompliant 2. Applications Switching application Power management for inverter systems 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1o

 8.1. Size:218K  kia
 knd3502a.pdf pdf_icon

KND3508A

70A 20V KNX3502A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KNX3502A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operationwithgatevoltages as lowas 2.5V. This deviceis suitablefor useas awidevariety of applications. 2. Features R =7m (typ.) @V =4.5V DS(on) DS High power and current hand

Другие IGBT... KND3208A, KND3302A, KND3306B, KND3403A, KND3404B, KND3404C, KND3406C, KND3502A, IRF3710, KND3706A, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A, KND8606A