Справочник MOSFET. KND3508A

 

KND3508A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KND3508A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для KND3508A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND3508A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  kia
 knb3508a knd3508a knp3508a.pdf pdf_icon

KND3508A

70A80V3508AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =9.5mtyp.@V =10VDS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHSCompliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1o

 8.1. Size:218K  kia
 knd3502a.pdf pdf_icon

KND3508A

70A20VKNX3502AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KNX3502A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge andDS(ON)operationwithgatevoltages as lowas 2.5V. This deviceis suitablefor useas awidevariety of applications.2. Features R =7m(typ.) @V =4.5VDS(on) DS High power and current hand

Другие MOSFET... KND3208A , KND3302A , KND3306B , KND3403A , KND3404B , KND3404C , KND3406C , KND3502A , P55NF06 , KND3706A , KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , KND8606A .

History: HM2310 | 9N90C | MSAEX8P50A

 

 
Back to Top

 


 
.