KND3706A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND3706A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de KND3706A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KND3706A datasheet

 ..1. Size:198K  kia
 knp3706a knd3706a.pdf pdf_icon

KND3706A

50A 60V KNX3706A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R =9m @V 10V DS(ON),typ. GS= 100%EASguaranteed Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology 2.Description The KNX3706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFET,which provide excellent R and DS(ON) gate charge for

Otros transistores... KND3302A, KND3306B, KND3403A, KND3404B, KND3404C, KND3406C, KND3502A, KND3508A, 10N60, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A, KND8606A, KNE4603A2