KND3706A Todos los transistores

 

KND3706A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KND3706A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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KND3706A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  kia
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KND3706A

50A60VKNX3706AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =9m@V 10VDS(ON),typ. GS= 100%EASguaranteed Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNX3706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFET,which provide excellent R andDS(ON)gate charge for

Otros transistores... KND3302A , KND3306B , KND3403A , KND3404B , KND3404C , KND3406C , KND3502A , KND3508A , IRFB4227 , KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 .

History: IPP052NE7N3 | SSP4N60 | ZXMC3F31DN8 | NCE20P85GU | STB35N65M5 | MTB14A03V8 | IRFB4410

 

 
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