Справочник MOSFET. KND3706A

 

KND3706A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KND3706A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для KND3706A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND3706A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  kia
 knp3706a knd3706a.pdf pdf_icon

KND3706A

50A60VKNX3706AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =9m@V 10VDS(ON),typ. GS= 100%EASguaranteed Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNX3706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFET,which provide excellent R andDS(ON)gate charge for

Другие MOSFET... KND3302A , KND3306B , KND3403A , KND3404B , KND3404C , KND3406C , KND3502A , KND3508A , IRFB4227 , KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , KND6610A , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 .

History: SMG2301 | IPP032N06N3G | G12P03D3

 

 
Back to Top

 


 
.