KND3706A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND3706A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND3706A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND3706A даташит

 ..1. Size:198K  kia
 knp3706a knd3706a.pdf pdf_icon

KND3706A

50A 60V KNX3706A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R =9m @V 10V DS(ON),typ. GS= 100%EASguaranteed Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology 2.Description The KNX3706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFET,which provide excellent R and DS(ON) gate charge for

Другие IGBT... KND3302A, KND3306B, KND3403A, KND3404B, KND3404C, KND3406C, KND3502A, KND3508A, 10N60, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A, KND8606A, KNE4603A2