KND4820B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND4820B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO252

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KND4820B datasheet

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KND4820B

9.0A 200V N-CHANNELMOSFET KNX4820B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description TheKNX4820B-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology 2. Fe

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