KND4820B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KND4820B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de KND4820B MOSFET
KND4820B Datasheet (PDF)
knu4820b knd4820b.pdf

9.0A200VN-CHANNELMOSFET KNX4820BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS`1. DescriptionTheKNX4820B-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage,high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, activepower factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology2. Fe
Otros transistores... KND3404C , KND3406C , KND3502A , KND3508A , KND3706A , KND4360A , KND4365A , KND4665B , IRFB4115 , KND6610A , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 , KNE6303A , KNE7306A , KNF3725A , KNF4360A .
History: RF4E110GN | MTDA4N20J3
History: RF4E110GN | MTDA4N20J3



Liste
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