KND4820B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND4820B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND4820B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND4820B даташит

 ..1. Size:463K  kia
 knu4820b knd4820b.pdf pdf_icon

KND4820B

9.0A 200V N-CHANNELMOSFET KNX4820B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description TheKNX4820B-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology 2. Fe

Другие IGBT... KND3404C, KND3406C, KND3502A, KND3508A, KND3706A, KND4360A, KND4365A, KND4665B, P55NF06, KND6610A, KND8103A, KND8606A, KNE4603A2, KNE6303A, KNE7306A, KNF3725A, KNF4360A