KND6610A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND6610A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO252

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KND6610A datasheet

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KND6610A

15A 100V N-CHANNELMOSFET KNX6610A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features The KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func

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