KND6610A Todos los transistores

 

KND6610A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KND6610A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de KND6610A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KND6610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  kia
 knd6610a knu6610a.pdf pdf_icon

KND6610A

15A100VN-CHANNELMOSFET KNX6610AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func

Otros transistores... KND3406C , KND3502A , KND3508A , KND3706A , KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , IRF630 , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 , KNE6303A , KNE7306A , KNF3725A , KNF4360A , KNF4365A .

History: QM3002AN3 | KND8103A | IXFH96N20P | HRLU80N06K | QM09N65P | HRP30N04K | IXTC200N10T

 

 
Back to Top

 


 
.