KND6610A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND6610A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND6610A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND6610A даташит

 ..1. Size:261K  kia
 knd6610a knu6610a.pdf pdf_icon

KND6610A

15A 100V N-CHANNELMOSFET KNX6610A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features The KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func

Другие IGBT... KND3406C, KND3502A, KND3508A, KND3706A, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, 8205A, KND8103A, KND8606A, KNE4603A2, KNE6303A, KNE7306A, KNF3725A, KNF4360A, KNF4365A