KND6610A - аналоги и даташиты транзистора

 

KND6610A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KND6610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для KND6610A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND6610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  kia
 knd6610a knu6610a.pdf pdf_icon

KND6610A

15A100VN-CHANNELMOSFET KNX6610AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func

Другие MOSFET... KND3406C , KND3502A , KND3508A , KND3706A , KND4360A , KND4365A , KND4665B , KND4820B , IRF630 , KND8103A , KND8606A , KNE4603A2 , KNE6303A , KNE7306A , KNF3725A , KNF4360A , KNF4365A .

History: SPN12T20 | CEP95P04 | SVG108R5NAMQ | HY3312PM | RRQ020P03 | IXTJ4N150 | SVG105R5NT

 

 
Back to Top

 


 
.