Справочник MOSFET. KND6610A

 

KND6610A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KND6610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KND6610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  kia
 knd6610a knu6610a.pdf pdf_icon

KND6610A

15A100VN-CHANNELMOSFET KNX6610AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD400N06NG | BUK96180-100A | APM7334K | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.