Справочник MOSFET. KND6610A

 

KND6610A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KND6610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 26.2 nC
   Время нарастания (tr): 8.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 60 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для KND6610A

 

 

KND6610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  kia
 knd6610a knu6610a.pdf

KND6610A KND6610A

15A100VN-CHANNELMOSFET KNX6610AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. FeaturesThe KNX6610Ais the highest performance trench N-ch MOSFETSwith extreme high cell density,which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KNX6610A meet the RoHSand green product requirement, 100%EASguaranteed with full func

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top