KND8103A Todos los transistores

 

KND8103A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KND8103A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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KND8103A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  kia
 knd8103a knu8103a.pdf pdf_icon

KND8103A

30A30VKNX8103AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA-8103Ais the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high celldensity,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converterapplications.The KIA30N03Bmeet the RoHSand Green Product requirenment,100%EASguaranteed withfull

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History: 2SK998 | SSF7504A7 | SSF6NS70UGX | SSF5N60F | WSP4068 | SJMN600R60F

 

 
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