KND8103A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND8103A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND8103A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND8103A даташит

 ..1. Size:230K  kia
 knd8103a knu8103a.pdf pdf_icon

KND8103A

30A 30V KNX8103A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA-8103Ais the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.The KIA30N03Bmeet the RoHSand Green Product requirenment,100%EASguaranteed with full

Другие IGBT... KND3502A, KND3508A, KND3706A, KND4360A, KND4365A, KND4665B, KND4820B, KND6610A, 7N65, KND8606A, KNE4603A2, KNE6303A, KNE7306A, KNF3725A, KNF4360A, KNF4365A, KNF4540A